（中央社記者張建中新竹22日電）全球半導體資本支出今年可望首度突破1000億美元大關，預估達1026億美元，將較去年增加14%。

研調機構IC Insights原先預估，三星(Samsung)今年資本支出約200億美元，將較去年減少42億美元，並影響今年全球半導體資本支出成長趨緩，估增加約8%。

不過，三星第1季實際資本支出達67.2億美元，微幅高於過去3季的平均水準，IC Insights認為，三星今年資本支出有可能會高於預期。

因動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市況依然強勁，SK海力士(Hynix)今年資本支出將自去年的81億美元，攀高至115億美元，年增率預估達42%。

IC Insights預期，今年全球半導體資本支出將首度突破1000億美元大關，預估達到1026億美元規模，較去年增加14%，增幅高於原本預估的8%。（編輯：張良知）1070522


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